分体式垂直气流碳化硅外延设备
品 牌
SiCCESS®芯程
外延规格
8吋/ 6吋碳化硅晶圆
所属分类
碳化硅外延设备
产品附件

详情介绍
▍技术优势
分体式将电源与尾气模块、PM/TM/EFEM模块做了分体式设计,方便用户将电源与尾气模块单独放入灰区或夹层区域。并可配合SMIF模块和天车联动,实现全自动功能。
设备拥有完全独立的自主知识产权,具有差异化的进气方式、垂直气流和温场控制技术,辅以全自动上下料(EFEM)系统和高温传盘等手段,实现了全球优异的低缺陷等综合技术指标和性能,在高产能、8/6吋兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性、可靠性等方面都具有明显的优势。
▍工艺性能

分体式特点
电气和排气系统
可独立放置于灰区或夹层

产能
≥1100片/月(双腔);
通过工艺优化,
可超过1200片/月

外延规格
8吋(兼容6吋)

温区和气流模型
多区控温
垂直喷淋
气流多区可调

旋转速度
0-1000转/分钟

最高外延生长速率
≥60微米/小时

片内厚度不均匀性
≤2%
(可优化到1%以内,
σ/平均值,EE 5mm)

片内浓度不均匀性
≤3%
(可优化到1.5%以内,
σ/平均值,EE 5mm)

致命缺陷密度
≤0.2cm-2
(最低可达0.01cm-2)

垂直腔独特优势
高压厚膜
沟槽外延
* 以上数据来自于客户实测数据